炭化ケイ素SiC多孔質セラミックディスク

最適な用途: CMP プラットフォーム、MOCVD エピタキシーリアクター、ウェーハ転送モジュール、プラズマ洗浄システム、および ESC 基板アセンブリ。

Ⅰ. 材料組成と物理的特性

高純度SiCセラミック構造

99.9%以上の超純度α-SiCまたはβ-SiC粉末から製造される多孔質ディスクは、精密に制御された焼結および浸透プロセスを経て製造されます。その結果、均一な細孔ネットワークが形成され、過酷な処理環境下でも安定したガスフローと機械的完全性を確保します。

主な技術的特性:

パフォーマンスのハイライト：

● 均一な真空透過性: 正確な細孔分布により、ウェーハ表面全体でバランスの取れたガスの流れが確保されます。

● 優れた熱安定性: 高温サイクル下でも機械的完全性を維持します。

● 低粒子生成: 研磨された SiC 表面により汚染リスクが最小限に抑えられます。

● 優れた耐久性: 過酷な化学薬品やプラズマ環境でも長寿命を実現します。

Ⅱ. 一般的なプロセス課題とSemixlabのソリューション

Semixlab独自の材料制御と表面エンジニアリングにより、複数のプロセスサイクルにわたって一貫した性能、長期的な信頼性、そして機器のダウンタイムの削減を実現します。技術的なご相談や製品カスタマイズサービスについては、お気軽にお問い合わせください。

半導体プロセスにおける応用

1. ウェーハ真空チャッキングとハンドリング

多孔質SiCディスクは、ウェーハローディング・搬送システムにおける真空チャックプレートやキャリアサポートとして広く使用されています。精密に設計された多孔質構造により、均一な真空吸引が確保され、ウェーハの変形を防ぎ、アライメント精度を向上させます。

2. 化学機械研磨（CMP）

CMP 中、多孔質 SiC ディスクはキャリアまたはバッキング プレートとして機能し、次のことが可能になります。

● 均一なスラリー分布

● 安定したウェーハサポート

● 平坦性と欠陥制御の改善

SiC は従来のアルミナや石英に比べて硬度と熱伝導率が高く、寿命が長くなり、プロセスの一貫性が向上します。

3. エピタキシーと高温処理

MOCVD および LPE エピタキシャルリアクターでは、SiC 多孔質ディスクが熱サセプタベースまたはサポートプラットフォームとして機能し、次のことが保証されます。

● ウェーハ全体にわたる均一な熱伝達

● 安定したエピタキシャル層厚

● 反応性プロセスガスに対する高い耐性

4. ウェット＆プラズマ洗浄システム

多孔質 SiC ディスクは、耐薬品性および耐プラズマ腐食性を備えているため、ウェットベンチや洗浄チャンバー内のガス拡散プレートや化学ろ過基板として効果的に機能します。

5. ESC（静電チャック）ベース層

高度なウェーハステージでは、多孔質 SiC セラミックが ESC の熱ベースとして機能し、優れた熱伝達と電気絶縁性を組み合わせることで、正確なウェーハ温度制御を実現します。