シリコンカーバイド炉管

Semixlab は、超高純度 SiC 炉管システム、コーティング純度 99.9999% の半導体グレードの熱フィールド ソリューション、完全なライン配信を提供します。

コアバリュープロポジション

ウェーハ製造に無公害の熱環境を提供します。基板の SiC 純度 99.9%、CVD コーティングの純度 99.9999% を、完全な SiC カンチレバー パドルとウェーハ ボート システムと組み合わせることで、プロセス チャンバー内の金属汚染をゼロにします。

製品の別の名前:

高温SiC炉管、炭化ケイ素管、高純度SiC管、拡散炉用炭化ケイ素管、拡散およびLPCVDプロセス用炭化ケイ素管、RTP用SiC管、酸化用SiC管

コア仕様:

材質純度：ベース材質は純度99.9％以上のシリコンカーバイドで、CVDコーティング後の純度は99.9999％以上（6Nグレード）です。

熱性能：最高動作温度1650℃（長期）、熱膨張係数：4.6×10⁻⁶/℃、一定温度域内均一性：±1.5℃（1200℃）。

機械的強度：曲げ強度450Mpa（常温）。

主な用途

熱場キャリア

1200℃～1650℃の範囲内で安定した均一な温度場を確立する（定温域の温度差は±1.5℃以下）

拡散、酸化、アニーリングなどのプロセスの熱力学的条件を保証します。

汚染隔離バリア

高純度材料（SiCなど）を通過する金属イオン（Fe/Ni/Cuなど）の拡散を遮断します。

プロセスガスと外部環境間の相互汚染を防止します。

プロセスガスチャネル

反応ガス（O₂/N₂/SiH₄など）の流れ方向と分布を精密に制御します。

ウェーハ表面での均一な気相反応を実現します（SiO₂成長など）。

太陽光発電コーティング: TOPCon/HJT セル PECVD プロセス ウェーハ輸送をサポートします。

アプリケーションシナリオ

● エピタキシー

● 酸化・拡散

● LPCVD/PECVDプロセス

● III-V族化合物半導体のアニール

業界の問題点に対するソリューション

当社のソリューションは、お客様の悩みを解決します。

1. 高温プロセス粒子汚染：6Nコーティングにより不純物の沈殿をブロックします。

石英部品内の SiC を頻繁に交換すると、耐腐食性が 8 倍向上します。

2. SiC 材料シリーズ全体の熱場コンポーネントの熱膨張不一致に対する CTE 一貫性設計。

3. ウェーハ裏面の金属汚染を超研磨表面処理（Ra0.2μm）。

コンポーネント技術仕様の主な利点:

1. SiC炉管 - 母材純度：99.9%焼結炭化ケイ素

▶耐熱衝撃性が3倍向上（急冷＞1600℃）

熱膨張係数は4.6×10⁻⁶/℃と低い

ナノスケールコーティング - 6Nグレードの高純度SiC（99.9999%）のCVD堆積

▶ FeやNiなどの金属の拡散を阻止

▶ 表面粗さ Ra < 0.5μm

2. SiCウェーハボート - 12インチウェーハに対応

- 多層耐荷重設計

▶ 炉管との100％熱整合

ウェーハ汚染率は0.01ppb未満

3. カンチレバーパドルシステム - 等方性グラファイト基板+SiCコーティング

- 自動アライメント精度 ±0.1mm

▶ クリープ寿命 > 100,000万回

伝達振動は5μm未満

破壊的な技術のハイライト

純粋さ革命

2段階保護システム

ベース層は99.9％SiC → 高強度フレームワークを構築

機能層の6NレベルCVD-SiCは原子レベルの密封層を形成します。
バリア

不純物制御：Na/K < 0.1ppm、重金属 < 5ppb、28nm以下のプロセスの要件を満たす

システムの相乗効果によるメリット

● 熱場均一性：炉管＋ウェーハボート＋パドルブレードの三重熱結合設計により、一定温度領域（＞1200℃）の温度差は≦±1.5℃

● 寿命の倍増：ソリューション全体ではハイブリッドシステムに比べて寿命が40％延長され、MTBAは8,000時間を超えます。