半導体石英ウエハボート

Semixlab Semiconductor Quartzウェーハボートは、半導体製造における拡散、酸化、CVD、アニールなどの高温プロセス向けに設計された重要なベアリングツールです。優れた耐熱性、化学的安定性、低い熱膨張係数を備えた高純度合成石英製で、過酷なプロセス環境下でもウェーハを安定して搬送し、プロセスの一貫性と製品歩留まりを確保します。

適用装置：各種水平/垂直拡散炉（水平/垂直拡散炉）、LPCVD システム、急速熱処理（RTP）装置と互換性があります。

品質保証

厳格な品質管理：100%ヘリウム質量分析法によるリーク検出（リーク率 <1×10⁻⁹ mbar·L/s）。材料純度レポート（ICP-MS試験）はバッチごとに発行されます。

認証基準: SEMI F47 仕様に準拠し、ISO 9001:2015 品質管理システム認証を取得。

耐用年数: 通常条件下での平均寿命は 2 年以上です (プロセス頻度と温度条件によって異なります)。

当社のクォーツボートを選ぶ理由は何ですか?

カスタマイズサービス：装置モデル（TEL、Kokusai、ASMなど）およびプロセス要件に応じてサイズと構造をカスタマイズします。

迅速な対応: 標準の配送時間は 3 週間ですが、緊急の注文は 10 営業日に短縮できます。

グローバル サービス ネットワーク: 技術アドバイス、インストール ガイダンス、アフター メンテナンス サポートを提供します。材料仕様。

プロジェクト仕様

材料合成溶融石英

純度 ≥99.99% SiO₂

ウェーハサイズ互換性 8 インチ、12 インチ (6 インチまたは 18 インチにカスタマイズ可能)

動作温度≤1200°C（連続）/ 1300°C（ピーク）

熱膨張係数（CTE）0.55×10⁻⁶/°C（20～1000°C）

表面粗さ（Ra）≤0.2μm

標準容量 25/50/100錠

適用可能なプロセスガス：O₂、N₂、H₂、Ar、SiH₄、HClなど

高温酸化/拡散：シリコンドーピング（リン、ホウ素拡散）、ゲート酸化膜の成長。

薄膜堆積：LPCVD 多結晶シリコン、窒化シリコン (Si₃N₄) 堆積。

アニール処理：イオン注入後のアニール（RTA）、金属合金化。

第 3 世代半導体: シリコンカーバイド (SiC)、窒化ガリウム (GaN) エピタキシー プロセス。

1. 材料特性

超高純度石英（SiO₂ >99.99%）：金属イオン（Na +、K +、Fe³ +など）による汚染を回避し、高度なプロセス（<5nmノード）の清浄度要件を満たします。

耐高温性：連続動作温度1200°C、瞬間耐熱温度1300°C、変形や結晶化のリスクなし。

化学的不活性：HCl、H₂、O₂、SiH₄などのプロセスガスや酸／アルカリ環境に耐えます。長期使用においても腐食性がありません。

2. 精密な設計

構造を最適化します。

スロット間隔精度は±0.05mmで、正確なウェーハ位置決め（8/12インチ）を保証し、傷やずれを防止します。

耐熱衝撃設計で、急激な上昇と下降に適応します (加熱速度≤20°C/分)。

低パーティクル形成: 表面は超精密研磨(Ra≤0.2μm)されており、パーティクルの付着や脱落を低減します。

3. 多様な構成

容量オプション: 25 個、50 個、100 個などの標準仕様をサポートし、非標準のスロット番号もカスタマイズできます。

タイプ適応: オープン ボート、クローズド ボート、または特殊なボート タイプ (ボート底迂回チャネル設計など)。

Q1: 標準以外のサイズや特別なデザインは提供できますか?

A1: Semixlabは、サイズ調整、温度上限（材質のアップグレードが必要）、インターフェースの種類など、カスタムサービスに対応しています。具体的なご要望については、Semixlabの技術チームまでお問い合わせください。

Q2：調達期間はどの位ですか。

A2: 標準製品の納期は4〜6週間、カスタム製品の設計・検証期間は2〜3週間です。

Q3: アフターセールスの技術サポートは提供していますか?

A3: はい、生涯にわたる技術相談と緊急対応サービスを提供しています。設置や使用に関する問題が発生した場合は、いつでもメールまたは電話でサポートチームにご連絡ください。

Q4: 製品は半導体業界の標準を満たしていますか?

A4: はい、製造工程はSEMI規格に準拠しており、ISO 9001品質管理システムの認証を受けています。各バッチは工場出荷前に気密性、耐熱性、純度の試験を受けています。