高純度等方性グラファイトシールリング
Semixlabの高純度アイソスタティックグラファイトシーリングリングは、高度な半導体製造装置の安定した汚染制御された動作をサポートするように設計されています。超高純度アイソスタティックプレスグラファイトから製造されたこれらのシーリングリングは、エピタキシー、CVD/LPCVD/PECVD、拡散、酸化、RTP、エッチングプロセスで一般的に遭遇する高温、高真空、化学的に腐食性の高い環境において、信頼性の高いシーリング性能を提供します。Semixlabのグラファイトシーリングリングは、プロセスの安定性を維持し、パーティクルや金属汚染のリスクを低減し、装置のメンテナンスサイクルを延長するのに役立ちます。お問い合わせをお待ちしております。
詳細説明
Semixlab の高純度等静圧グラファイト シーリング リングは、超高純度の等静圧加圧グラファイトから製造されており、安定した低汚染のシーリング性能を提供し、高度なフロントエンド ウェーハ製造プロセス全体にわたってプロセスの信頼性、歩留まりの一貫性、および装置の稼働時間を直接サポートします。
ガス流量、圧力安定性、そして熱均一性の精密制御が不可欠なエピタキシーシステムにおいて、Semixlabの高純度アイソスタティックグラファイトシーリングリングは、しばしば1000℃を超える高温環境下でもリアクターの完全性を維持する上で重要な役割を果たします。チャンバーインターフェース、シーリング境界、そしてホットゾーン内の回転ジョイントまたは固定ジョイントに設置されるこれらのシーリングリングは、低熱膨張かつ等方性を示し、繰り返しの熱サイクルにおいても寸法安定性を維持します。金属不純物含有量が非常に低いため、意図しないドーパントの混入や金属汚染のリスクを最小限に抑え、シリコンおよび化合物半導体エピタキシープロセスにおいて、均一なエピタキシャル層厚、制御されたドーピングプロファイル、そして高品質な結晶成長を実現します。
CVD、LPCVD、PECVDアプリケーションでは、シーリング部品は高温、真空、腐食性プリカーサーガス、そして場合によってはプラズマ環境といった様々な環境にさらされます。Semixlabの高純度アイソスタティックグラファイトシーリングリングは、チャンバードアシール、ガス遮断構造、リアクターの高温部と低温部の間の遷移領域などに広く使用されています。高純度グラファイトは固有の耐薬品性を備えているため、HCl、NH₃、ハロゲン系プリカーサーなどの腐食性の高いプロセスガスが存在する環境でも安定した動作が可能で、緻密で等方性の微細構造により、パーティクル発生や機械的劣化が低減され、長寿命化を実現します。金属シーリングソリューションと比較して、グラファイトシーリングリングは耐腐食性と耐熱疲労性に優れており、量産におけるメンテナンス間隔の延長とプロセス再現性の向上に貢献します。
高温拡散、酸化、および急速熱処理は、極度の温度、急速な昇温速度、そして頻繁なプロセスサイクルを伴うため、シーリング性能に対する厳しい要求を課します。こうした環境において、Semixlabの高純度等方性グラファイトシーリングリングは、1100℃を超える温度でも一貫したシーリング性能を維持し、炉管およびRTPチャンバー内の安定した雰囲気制御をサポートします。等方性加圧によって得られる均一な機械的特性は、急速加熱・冷却時の局所的な応力集中、微小亀裂、シールの歪みを防止し、安定したドーパント拡散プロファイル、均一な酸化物成長、そして高度なロジックデバイスおよびメモリデバイスの製造に不可欠な再現性の高い熱処理結果に貢献します。
ハロゲン系化学物質やプラズマ支援環境を利用するドライエッチングなどのエッチングプロセスでは、パーティクル発生や化学劣化を抑えながら真空状態を維持するためにシーリングリングが不可欠です。Semixlabの高純度アイソスタティックグラファイトシーリングリングは、チャンバー周辺のシーリングインターフェースや構造分離領域など、プラズマに直接曝露されない領域に一般的に使用されます。適切な表面緻密化処理や保護コーティングと組み合わせることで、これらのシーリングリングは腐食性エッチングガスや熱応力に対する信頼性の高い耐性を提供し、チャンバー内の安定した状態を維持し、汚染による歩留まり低下のリスクを低減します。
Semixlabの高純度アイソスタティックグラファイトシーリングリングは、材料の純度、構造安定性、そして長期的な信頼性を重視して設計されており、高度なコーティング技術との互換性と複雑な半導体装置アーキテクチャへの統合性により、最先端プロセスノードから成熟プロセスノードまで、あらゆるプロセスノードにおいて信頼できるソリューションとなっています。Semixlabは、最も要求の厳しいプロセス条件下でも一貫したシーリング性能を提供することで、半導体メーカーの歩留まり向上、装置稼働率の向上、そして総所有コストの削減を支援します。中国におけるお客様の長期的なパートナーとなることを心よりお待ちしております。
技術仕様
| 等方性グラファイトの物理的性質 | ||
| プロパティ | ユニット | 典型的な値 |
| かさ密度 | g /cm³ | 1.83 |
| 硬度 | HSD | 58 |
| 電気抵抗率 | μΩ.m | 10 |
| 曲げ強度 | メガパスカル | 47 |
| 圧縮強度 | メガパスカル | 103 |
| 抗張力 | メガパスカル | 31 |
| ヤング率 | GPa | 11.8 |
| 熱膨張(CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
| 熱伝導率 | ワットメートル-1·K-1 | 130 |
| 平均粒径 | ミクロン | 8-10 |
| 気孔 | % | 10 |
| 灰分 | ppmの | ≤5(精製後) |
Tsunaguのサービス

Semixlab製品ショップ


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ





