MOCVD用SiCコーティンググラファイトヒーター

製品の詳細

SiC コーティング グラファイト MOCVD ヒーターは、グラファイトの優れた熱伝導性と SiC コーティングの高温耐性および耐腐食性を兼ね備えており、ウェーハ エピタキシー成長プロセスにおける安定性と高純度を確保するために、金属有機化学気相成長 (MOCVD) 装置で広く使用されています。

SiCコーティンググラファイトMOCVDヒーター製品の特徴

1. 超高純度と化学的安定性

純度 ≥ 99.99995%: 当社のグラファイトヒーターは、CVD プロセスによる高温塩素処理で製造されており、金属不純物汚染を効果的に回避し、半導体製造における超クリーン環境の要求を満たします。

耐化学腐食性：SiCコーティングの緻密性と高硬度（ビッカース硬度2500～2800）により、酸、アルカリ、塩、有機溶剤による侵食に耐えることができ、腐食性ガス環境における機器の耐用年数を延ばします。

2. 優れた耐高温性

高温安定性：不活性雰囲気では3000℃まで耐えられ、真空環境では2200℃まで、酸化環境では1600～1700℃まで安定して動作し、MOCVD反応室の過酷な条件に適しています。

低い熱膨張係数 (4.5 x 10-⁶K-¹): MOCVD グラファイト ヒーターのこの機能により、温度変化によるコーティングのひび割れや剥がれが効果的に低減され、長期の熱サイクル下でも構造的完全性が確保されます。

3. 最適化された熱管理性能

高い熱伝導率 (200 ～ 300 W/mK): グラファイト MOCVD ヒーターは高い熱伝導率を備えているため、熱を素早く均一に伝達し、ウェーハ表面の温度分布 (±1°C) を一定に保ち、エピタキシャル層の均一性を効果的に向上させることができます。

層流ガスフローフィールド設計: 継続的な技術の反復とアップグレードを経て、当社の MOCVD ヒーター表面の滑らかさ (Ra ≤ 0.8μm) と形状の最適化により、反応性ガスの均一な分散が保証され、乱流による堆積の不均一性が低減されます。

技術的パラメータの比較と利点

なぜ Semixlab なのか?

カスタマイズ：Semixlabは、お客様にカスタマイズされた製品と技術サービスを提供することに尽力しています。幅広い装置ニーズに対応するため、非標準サイズ（最大直径360mm）およびコーティング厚（20～500μm）のカスタマイズにも対応しています。

グローバル認証: 当社の SiC コーティング グラファイト ヒーターは SEMI 準拠、ISO 9001 認証を取得しており、当社の製品は主にヨーロッパ、米国、日本、韓国に輸出されており、価格と性能の面で大きな優位性があります。

技術的な相乗効果: Semixlab は長年にわたり中国のトップ研究機関と緊密に協力し、特許取得済みのコーティング技術 (CGT Carbon の SiC³ プロセスなど) を使用してコーティング密度と耐熱衝撃性を最適化してきました。