高純度ソフトフェルト
Semixlabの高純度ソフトフェルトは、半導体製造における高温熱場用途向けに特別に設計されています。高品質の炭素系前駆体から製造され、高度なプロセスで精製されたこのソフトフェルト素材は、極めて低い不純物レベル、優れた断熱性、そして卓越した構造適応性を実現しています。その柔軟な構造により、複雑な熱場設計にも正確にフィットし、最適な温度勾配と安定したプロセス条件を可能にします。お問い合わせをお待ちしております。
詳細説明
熱分野において純度が重要なのはなぜですか?第三世代を製造する場合、なぜ純度が重要なのでしょうか?
半導体(SiC/GaN)の場合、灰分含有量が高い(500ppm以上)従来の絶縁フェルトは、1600℃以上の温度で金属不純物を放出する傾向がある。これにより格子欠陥が発生し、ウェーハの歩留まりが低下する。
Semixlabのソフトフェルトは、当社独自の高温化学精製プロセスを経ており、不純物の総量を5ppm未満にまで低減しています。これにより、クリーンな成長環境が確保されるだけでなく、長時間の結晶成長に必要な極めて高い熱安定性も実現します。
Semixlab Edge
当社は単なるサプライヤーではなく、お客様の高温ゾーンにおけるパートナーです。CASの研究者によって設立された当社は、断熱ソリューションとCVDコーティング(TaC/SiC)の組み合わせに優れています。当社は断熱フェルトを提供するだけでなく、グラファイトヒーターと多孔質TaCを使用して熱場全体を最適化し、エネルギー消費を削減します。社内の5軸CNC加工により、お客様の炉の設計に正確に適合するカスタムの組み立て済みキットを、誤差ゼロで提供できます。
技術仕様
| 特性 | プレミアムPANベースフェルト | 高性能ビスコースベースフェルト |
| 総不純物 | ≤5 ppm (GDMS) | ≤10ppm |
| 炭素含有量 | ≥99.99%で | ≥99.95%で |
| かさ密度 | 0.10 - 0.15g/cm³ | 0.08 - 0.12g/cm³ |
| 熱条件(1000℃) | 0.12 - 0.15 W/m·K | 0.09 - 0.13 W/m·K |
| 最大使用温度。 | 2800℃(不活性ガス/真空) | 2600℃(不活性ガス/真空) |
| 標準厚さ | 3mm / 5mm / 10mm / 20mm | 3mm / 5mm / 10mm / 20mm |
用途
重要なアプリケーション

実証済みのパフォーマンス:
SiCおよびシリコン成長(PVT/CZ)向けに設計された当社のフェルトは、熱安定剤として結晶転位を抑制します。MOCVD/エピタキシー(Aixtron、NuFlareと互換性あり)においては、腐食性のH2/NH3ガス流下でも不活性を維持し、不純物の拡散を阻止します。繊維延伸およびサファイア焼結においては、ガス放出ゼロの特性により真空状態を維持し、歩留まりの低下を防ぎます。
競争上の優位性
コアメリット
GDMSによる試験で超高純度(5ppm未満)を実現。エピタキシャル成長における相互汚染を防ぐため、Al、B、Fe、その他の主要な不純物を厳密に管理しています。
優れた断熱性: 1000℃における熱伝導率は0.12 W/m・Kと低く、熱損失を低減し、温度勾配を±1℃以内に制御します。
粒子放出量が少ない: 最適化された繊維と表面処理により、真空サイクル中の粉塵を低減し、CVD(TaC/SiC)グラファイトサセプターとヒーターを保護します。
高い柔軟性とフィット感: 柔らかく圧縮性に優れているため、複雑な形状の炉にも360°継ぎ目なく巻き付けることができ、硬質断熱材による熱漏れを防ぎます。

FAQ
最適化されたFAQ
Q:Semixlabのソフトフェルトは、グラファイトヒーターの耐用年数をどのように向上させるのですか?
A:当社のソフトフェルトは、より安定した熱シールドを提供することで、ヒーターが目標温度を維持するために必要な電力負荷を低減し、それによってグラファイト発熱体の炭素昇華と酸化を遅らせます。
Q:御社のフェルトは、高流量ガス環境で使用できますか?
A:はい。MOCVDのような高速ガス流プロセスには、高密度PAN系フェルト、または繊維の侵食を防ぎ、粒子汚染をゼロにするグラファイト箔を表面に使用したハイブリッドソリューションをお勧めします。
業務内容


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